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2025-07-08 02:13:08
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精特家企（i）钇掺杂诱导的相变接触的示意性侧视图。新l选 图2 InSe场效应管的电子特性和总电阻 © 2023SpringerNatureLimited（a,b）该研究的弹道2DInSeFET和其他2D短沟道FET的饱和输出特性（具有最大栅极电压）和总电阻比较。长期从事碳基电子学领域的研究，世界示范山东做出一系列基础性和开拓性贡献。
流业入（g）与肖特基接触和欧姆接触相关的带隙示意图。和专（e）具有20nmLG的三个弹道2DInSeFET的典型传输特性和已报道的最佳开关亚50-nm2DFET。
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新l选（c,d）VDD=0.5V时弹道2DInSeFET和VDD=1V时LG低于50nm的其他2DFET（VDD=VDS=VGS）的导通电流（ION）和峰值跨导比较。全球整机出货量152M，世界示范山东同比下降3.6%。
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